序號

設備名稱

主要技術指標要求

國別

數量（臺）

采購方式

1

蒸發鍍膜機

·極限真空度：≤5.0E-5Pa·高壓雙電子槍最高電壓：≥10kV·加熱性能：200℃±10℃，最高300℃·鍍膜種類：Au、Sn、Cu·鍍膜均勻性：≤±5%·兼容基片尺寸：兼容6寸及以下基片

進口

1

公開招標

2

離子束刻蝕機

·能夠刻蝕金屬材料：Au、TiW、Ni·離子源類型：射頻離子源·離子源口徑：≥Φ22cm·極限真空度：≤6.7E-5Pa·刻蝕均勻性：≤±5%；·兼容基片尺寸：兼容6寸及以下基片

國產

1

詢比或公開招標

3

電容外觀篩選機

·適用產品規格：0202/0303（單層芯片電容）、0202～0707（硅電容）、0303～0707（多層芯片電容）、0503/0706（單層芯片電容）·UPH:≥2kpcs/h·視覺檢測精度：≤±5μm·擺盤入料率：≥96%

國產

4

公開招標

4

多層芯片電容老化系統

·兼容尺寸規格：0303、0505、0707·系統容量：≥9600只·加載電壓及精度范圍：0～300V/±（1%+200mV）·溫度范圍及精度：常溫～125℃/±3℃·漏電流監控范圍及精度：0～250μA/±2%FS·工裝夾具的絕緣性及可檢測絕緣電阻的數量級≥1×1012Ω，可進行常溫和高溫絕緣測試

國產

1

詢比采購

5

網帶式氣氛燒結爐

·有效裝載尺寸：寬度300 mm以上，高度50mm以上·溫區數量：不少于24溫區，加熱區長度10米以上·網帶速度：200～600ｍｍ／Hr·使用溫度：最高溫度1000℃，常用溫度900～950℃·控制精度：±1℃·溫度均勻性：±3℃·燒結氣氛：氮氣置換，氧含量10ppm以下，配備氧含量分析儀；水汽加濕，露點范圍25℃～80℃，配備露點分析儀

進口

1

公開招標

6

直寫光刻機

·最大曝光面積：≤（200×200）mm2·最小線寬解析：≤0.6um·線寬均勻性[3σ,nm]：≤150·套刻對準精度[3σ,nm]：≤500·產速@最小線寬解析：≥200mm2/min·具備光掩膜板制備功能·數據輸入格式：支持多種文件格式

國產

1

詢比采購

7

溫補衰減器電性能外觀一體機

·測試頻率范圍：100MHz～3GHz·衰減量測試精度：±0.1dB@1GHz·衰減量測試重復精度：±0.1dB@1GHz·阻值測試精度：±0.3Ω·阻值重復精度：±0.1Ω·微波性能測試效率：≥1200pcs/h·R2阻值測試效率：≥1500pcs/h·六面外觀檢查·具備型號可擴展性

國產

1

詢比采購

8

磁控濺射鍍膜機

·濺射方式：連續式鍍膜系統·極限真空度：≤8.0×10-5Pa·直流電源最大功率：≥3000W·濺射不均勻性：≤±5%·配備信息化接口

進口

1

公開招標

9

端導磁控濺射機

·靶位數量：≥2個·極限真空度：≤8.0×10-4Pa·最大功率：≥5000W·濺射不均勻性：≤±5%·對于工裝尺寸為93mm×73mm×11mm的治具，每爐樣品數量：≥60個·配備信息化接口

國產

1

公開招標

10

雙離子束濺射機

·極限真空度：≤8×10-5Pa·濺射離子源最大能量：≥1500eV·濺射離子最大束流：≥300mA·工藝氣路：Ar、N2、O2·濺射不均勻性：≤±5%

國產

1

公開招標

11

流延機

·流延寬度：流延后分切成2卷8英寸收卷·流延厚度：20～500μm·流延精度：（20~50）μm，≤±1μm；（51~100）μm，≤±1.5μm；（101~500）μm，≤±2%·干燥爐長度：18～20m·干燥爐溫度：最高120℃·橫向溫度均勻性：±3℃·流延速度：0.1～3.0m/min·EPC糾偏，電子張力控制，數控調整流延刀高

進口

1

公開招標

12

全自動涂銀機

·適用的電阻條長度：60mm和50mm·涂銀最大壓力：≥2kg且壓力可調·烘干爐上限溫度：≥180℃

國產

1

詢比采購